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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Mask effect in nano-selective-area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates
BSO - Titre
Mask effect in nano-selective- area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates
DOI
DOAI
Identifiant WoS
WOS:000394173200010
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

The Optical Society

Source

OPTICAL MATERIALS EXPRESS

ISSN
2159-3930
Type de document
  • Article
Notoriété
3 - Correcte
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INP - Institut de physique
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/7681QFK8
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